InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为,在MBE激光器的n-Al_xGa_(1-x)As组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x=0.40的n-Al_xGa_(1-x)As层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-Al_xGa_(1-x)As组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失,这表明LPE掩埋结构工艺可能对激光器深中心的消除或减少有一定作用.深中心的变化与样品阈值电流密度的改善是相符的. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卢励吾;封松林;周洁;杨国文;徐俊英;郭春伟.InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为,半导体学报,1996,17(7):493 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
