InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω. 报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:26导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5902.pdf: 183809 bytes, checksum: 799836a569c5b7478ed13055d3b88cf1 (MD5) Previous issue date: 1996 吉林大学电子工程系;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘颖;杜国同;姜秀英;刘素平;张晓波;赵永生;高鼎三;林世呜;高洪海;高俊华;王洪杰;康学军.InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器,红外与毫米波学报,1996,15(3):218 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
