InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。 测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6011.pdf: 353998 bytes, checksum: 567ef93b7076f0c139ee1310d5d70946 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所;西安交通大学电子科学系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐仲英;罗昌平;金世荣;许继宗;郑宝真.InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学,半导体学报,1995,16(2):101 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
