立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性

通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。

R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石（0001）面（即C面）和蓝宝石(1(1-bar)02)面（即R面）上形成了InGaN量子点，并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm，高约15nm；而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比，其PL谱不仅强度高，而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场，而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[11(2-bar)0]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光（PL）谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象，这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响，得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。

热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进

采用高真空MOCVD外延技术，利用TMA（Al(CH_3)_3）和O_2作为反应源，在Si(100)衬底上外延生长γ－Al_2O_3绝缘膜形成γ-Al_2O_3/Si异质结构材料。同时，引入外延后退火工艺以便改善γ-Al_2O_3薄膜的晶体质量及电学性能。测试结果表明，通过在O_2常压下的退火工艺可以有效地消除γ－Al_2O_3外延层的残余热应力及孪晶缺陷，改善外延层的晶体质量，同时可以提高MOS电容的抗击穿能力，降低漏电电流。

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

采用窄条宽选区生长化学气相沉积（NSAG-MOCVD）技术在掩膜宽度0～40 μm范围内，获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料，经推导，获得各个生长区域的组份、应变和In，Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系，并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内，与III族分压比相关，大于阈值掩膜宽度范围内，与III族源无关，此外，对材料富In现象作了合理解释。

半导体材料研究的新进展（续）

光学微腔是指具有高品质因子而尺寸与谐振光波长（1）相比拟的光学微型谐振器。随着MBE、MOCVD生长技术和现代微细加工技术发展，设计、制造有实用价值的光学微腔已成为可能，关在低（无）阈值激光器研制方面取得了很大进展。大家知道，当光腔尺度与光波长可比拟时，腔内真空场的光学模式数则大大减小（1个光学模式占有相当于(λ／2n)~3大小体积，n为介质有效折射率)。在理想情况下，若用一个边长为半波长，周界为全反射壁的立方微腔，有可能将一个单模光场分离出来，这为实现低（无）阈值激光器的研制提供了科学依据。

立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光（PL）、扫描电镜（SEM）分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor

GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor. High-resolution X-ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) are combined in determining the nitrogen contents in the samples. Room temperature photoluminescence (RTPL) measurement is also used in characterizing. The influence of different Ga precursors on GaNAs quality is investigated. Samples grown with triethylgallium (TEGa) have better qualities and less impurity contamination than those with trimethylgallium (TMGa). Nitrogen content of 5.688% is achieved with TEGa. The peak wavelength in RTPL measurement is measured to be 1278.5nm.

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究

分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明

InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）

讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的。

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。

Au-GaN肖特基结的伏安特性

在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性。分析表明

表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变.

优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的In_xGa_(1-x)As缓冲层的MOCVD生长.在这种In_xGa_(1-x)As缓冲层上生长的In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-x)As双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果.