立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。 通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5003.pdf: 312587 bytes, checksum: aa23d0f875cb6328ef467342d7f1a2a7 (MD5) Previous issue date: 2002 国家杰出青年科学基金（698251 7）,NSFC-RGC联合基金（5 1161953，N_HKU 28/ ） 广西大学理学院;中国科学院半导体研究所 国家杰出青年科学基金（698251 7）,NSFC-RGC联合基金（5 1161953，N_HKU 28/ ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
沈晓明;渠波;冯志宏;杨辉.立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性,广西大学学报. 自然科学版,2002,27(3):252-255 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
