InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的。 讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5410.pdf: 227730 bytes, checksum: 316007676fdaba82b67005efaf546ccf (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邓晖;陈弘达;梁琨;杜云;唐君;黄永箴;潘钟;马晓宇;吴荣汉;王启明.InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计（英文）,半导体学报,2001,22(2):113 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
