MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。 报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:45导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5142.pdf: 285689 bytes, checksum: 0d36443d8cdb547d1b295edf2e3d8830 (MD5) Previous issue date: 2001 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陆大成;刘祥林;韩培德;王晓晖;汪度;袁海荣.MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED,液晶与显示,2001,16(1):1 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
