立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光（PL）、扫描电镜（SEM）分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。 利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光（PL）、扫描电镜（SEM）分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5106.pdf: 471570 bytes, checksum: 16e7c5746c3ecddceeae5a809cd9a836 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
冯志宏;杨辉;徐大鹏;赵德刚;王海;段俐宏.立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长,半导体学报,2002,23(2):161-164 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
