InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邓晖;陈弘达;梁琨;杜云;唐君;黄永箴;潘钟;马骁宇;吴荣汉;王启明.InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究,光电子·激光,2001,12(3):222 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
