选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明 采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5392.pdf: 292079 bytes, checksum: 76ef9ba57ffe10e55273c056ada814b4 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金,国家863计划 中科院半导体所国家光电子工艺中心;中科院半导体所 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘国利;王圩;张佰君;许国阳;陈娓兮;叶小玲;张静媛;汪孝杰;朱洪亮.选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料,半导体学报,2001,22(5):609 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
