InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。 报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5449.pdf: 252274 bytes, checksum: f56be6ef2875800abce6f82a107d2725 (MD5) Previous issue date: 2000 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陆大成;韩培德;刘祥林;王晓晖;汪度;袁海荣;王良臣;徐萍;姚文卿;高翠华;刘焕章;葛永才;郑东.InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管,半导体学报,2000,21(4):414 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
