自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究

报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化。

自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应

通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火体面向于产生更多的位错，量子点的发峰位置不变，但强度减弱。

MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究

利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光 荧光谱线发生红移。这表明 由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。

InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAs QD结构样品的测量，测定了QD能级发射载流子的热激活能；获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE),QD能级存在一定程度的展宽，以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据。结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能。

自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究

报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。

InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。

不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响

利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。

自组织生长InAs量子点发光的温度特性

报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程.

Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes

We have investigated the optical properties of asymmetric multiple layer stacked self-assembled InAs quantum dot with different interlayer. We found that asymmetric multiple stacked QD samples with In0.2Ga0.8As + GaAs interlayer can afford a 180nm flat spectral width with strong PL intensity compared to other samples at room temperature. We think this result is due to the introduction of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer. Additionally, for the broad spectral width and the strong PL intensity, this structure can be a promising candidate for quantum-dot superluminescent diodes.

Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing

Self-organized InAs quantum; dots sheets are grown on GaAs(100) substrate and tapped by 80nm GaAs layer with molecular beam epitaxy. Samples were annealed and characterized with Raman spectra, transmission electron microscopy (TEM) and photolumincscence (PL). The Raman spectra indicates arsenic clusters in the GaAs capping layer. The TEM analysis revealed the relaxation of strain in some InAs islands with the introduction of the network of 90 dislocations. In addition, the structural changes also lead to the changes of the PL spectra from me InAs islands. Their correlation was discussed, Our results suggest:est that annealing may be used to intentionally modify me properties of self-organized InAs islands on GaAs.