自组织生长InAs量子点发光的温度特性
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程. 国家自然科学基金,攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吕振东;杨小平;袁之良;徐仲英;郑宝真;许继宗;陈弘;黄绮;周均铭;王建农;王玉琦;葛惟昆.自组织生长InAs量子点发光的温度特性,半导体学报,1996,17(10):793 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
