P���GaN���AlGaN���������������������

���������MOVPE������������P���GaN���Al0.13 Ga0.87N������������������������������������������������������������������������������������������������������������������P������������������������InGaN/AlGaN������������������������������������

In_���0.49���Ga_���0.51���P������������������������

���2010-11-23������������

���������������SiGe/Si������������p-i-n������������������������������������

���������������������������X������������������������������������������Si_(1-x)Ge/Si������������p-i-n���������������������������������������SiGe������������������Si-Ge���������������������������������������������������������������������������������750-850������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

������������������������������������������������ ���Al_x Ga_���1-x������_���0 .5 1���In_���0 .49���P���������������������������

������������������������������������������������������������������������������������GaAs������������(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P���������������������������������������������������������������������05-2.5��m������������������������������������������������������������������������������������������������������GaInP/AlGaInP������������������������������������������������������������������������������������������

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

���2010-11-23������������

�����������n-i-p-i������������������������������������

�����������������������������n-i-p-i������������������������������������������������������������������������������������������������GaAs���GeSi���������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

Pt-Ni/p-InP���������������������������������

������X���������������AES(������)���������������������������RF���������������������Pt-Ni/p-InP(100)������������������������������������Pt���Ni���������InP������In���P������������������������������������������������������������������3��10~(-6)����cm~2������������������

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs ���������������������������������

���2010-11-23������������

In_xGa_(1-x)As/InP������������������P-i-N���������GSMBE���������X������������������������

������863������

Zn���������������������VCSEL p���DBR������������������������

���2010-11-23������������

������Ga���0.5���In���0.5���P���������������������

������������������������

MOCVD���GSMBE������Ga���0.5���In���0.5���P ���������������������������������

���MOCVD���(100)���GSMBE���(100)���(111)B GaAs������������GaInP���������.PL������������,(100)���������GaIn PL ���������������������������������������43(GSMBE������)���104meV(M(CVD������).���Kurtz������������������MOCVD���GSMBE���������GaInP������������������������������������.���������������������������GaInP������������������������.