MOCVD生长Ga（0.5）In（0.5）P外延层光学性质的研究

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Autoria(s): 董建荣; 刘祥林; 陆大成; 汪度; 王晓晖; 王占国; 黎健

Data(s)	1996
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19601 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104438
Idioma(s)	中文
Fonte	董建荣;刘祥林;陆大成;汪度;王晓晖;王占国;黎健.MOCVD生长Ga（0.5）In（0.5）P外延层光学性质的研究,光子学报,1996,25(1):35
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文