Zn扩散工艺在降低VCSEL p型DBR串联电阻中的应用
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:14导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5873.pdf: 325547 bytes, checksum: ae3b89de72632ff9ad1bcb28aa6d21ef (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高洪海;高俊华;林世鸣;康学军;王红杰;王立轩.Zn扩散工艺在降低VCSEL p型DBR串联电阻中的应用,半导体光电,1996,17(3):243 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
