δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。 该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5508.pdf: 327914 bytes, checksum: 4d37e09d9538cdb10ee269424b979acf (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所;半导体物理研究中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
程文超;夏建白;郑文硕;黄醒良;金载元;林三镐;瑞恩庆;李亨宰.δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移,半导体学报,1999,20(6):497 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
