p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算

---

Autoria(s): 吴文刚; 江德生; 罗晋生

Data(s)	1997
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19395 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104335
Idioma(s)	中文
Fonte	吴文刚;江德生;罗晋生.p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算,电子学报,1997,25(8):90
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	期刊论文