MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响. 用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5922.pdf: 187807 bytes, checksum: c886f1b91036d1738a8c69337008b3a1 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董建荣;李晓兵;孙殿照;陆大成;李建平;孔梅影;王占国.MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究,半导体学报,1996,17(9):641 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
