低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P折射率测量（英文）
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P外延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP可见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。 采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P外延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP可见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5400.pdf: 286021 bytes, checksum: f2ea085a6f02bbe334f34ce37265a3b8 (MD5) Previous issue date: 2001 北京工业大学电子工程学系;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
廉鹏;马骁宇;张广泽;陈良惠.低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P折射率测量（英文）,半导体学报,2001,22(4):398 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
