GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积

采用常规磁控溅射方法，通过优化工艺，在Si(100),Si(111)多种基片上沉积ZnO薄膜。利用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X射线摇摆曲线(XRC)，对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析。结果表明，所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性，大多数样品测得ZnO(002)晶面XRC的半高宽(FWHM)1°左右，最小值达0.353°，优于目前国内外同类研究的最佳结果2°。并对ZnO/Si(100)与ZnO/Si(111)衬底的结果进行了比较和讨论。

Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

于2010-11-23批量导入

杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响

研究了较低掺杂浓度对InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。

纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变。

SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构

用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅)及GeSi/Si脊形光波导的单模条件进行了模拟，与Soref的单模条件进行了比较，将两者与实验结果进行了比较，得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟，得到了波导承载一阶和二阶模的条件。

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge_xSi_(1-x)/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。

nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质

于2010-11-23批量导入

用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率

国家自然科学基金

Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

于2010-11-23批量导入

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究

利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO，不过生长的ZnO薄膜存在孔隙，工艺还有待进一步改进。

高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究

国家自然科学基金

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%-1.0%的Si_(1-x)C_x合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷，注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因，如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量，退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si_(1-x)C_x合金的形成；但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化，预先注入产生的损伤缺陷不利于Si_(1-x)C_x合金的形成。与慢速退火工艺相比，快速热退火工艺有利于Si_(1-x)C_x合金的形成。离子注入的C原子在空间分布不均匀，退火过程中将形成应变不同的Si_(1-x)C_x合金区域。

弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱

采用UHV/CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层结构的弛豫Si_(0.76)Ge_(0.24)虚衬底和5个周期的Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si多量子阱。在渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层生长过程中引入原位退火，消除了残余应力，抑制了后续生长的SiGe中的位错成核。透射电子显微照片显示，位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内，而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的。在样品的PL谱中，观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰。由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置，较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重。NP峰随激发功率增加向高能方向移动，在一定激发条件下，电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光，所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小。