在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姚振钰;贺洪波;柴春林;刘志凯;杨少延;张建辉;廖梅勇;范正修;秦复光;王占国;林兰英.在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性,功能材料与器件学报,2000,6(4):338 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
