GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:23导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5368.pdf: 249414 bytes, checksum: b79b006297e10a870f15c3b1fbe3d27e (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划 北京工业大学电子信息与控制工程学院;中科院半导体所 国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邹德恕;徐晨;陈建新;史辰;杜金玉;高国;沈光地;黄大定;李建平;林兰英.GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料,半导体学报,2001,22(8):1035 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
