纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变。 半导体材料科学开放实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
鲍忠兴;何宇亮;王卫乡;柳翠霞;陈伟.纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变,高压物理学报,1999,13(2):133 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
