氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO，不过生长的ZnO薄膜存在孔隙，工艺还有待进一步改进。 利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO，不过生长的ZnO薄膜存在孔隙，工艺还有待进一步改进。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:15导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5342.pdf: 342260 bytes, checksum: 662cbaacf8be838437e90a0f60eab346 (MD5) Previous issue date: 2001 国家863计划 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李庚伟;吴正龙;杨锡震;杨少延;张建辉;刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究,北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):174 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
