背照式GaN／AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

文章研究了p-GaN／i—GaN／n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i—n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310～365nm，最大响应率为0．046A/W，对应的内量子效率为19％，优值因子R0A达到1．77×10^8Ω·cm^2，相应的在363nm处的探测率D^＊=2．6×10^12cmHz^1/2W^-1。

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先，介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况，包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷；然后，评述了目前在空间使用的紫外探测器状况，以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器；最后，对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。

高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC

AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures with a high-mobility GaN thin layer as a channel are grown on high resistive 6H-SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The HEMT structure exhibits a typical two-dimensional electron gas (2DEG) mobility of 1944cm2/(V · s) at room temperature and 11588cm2/(V· s) at 80K with almost equal 2DEG concentrations of about 1.03 × 1013 cm-2 High crystal quality of the HEMT structures is confirmed by triple-crystal X-ray diffraction analysis. Atomic force microscopy measurements reveal a smooth AlGaN surface with a root-mean-square roughness of 0. 27nm for a scan area of 10μm × 10μm. HEMT devices with 0.8μm gate length and 1.2mm gate width are fabricated using the structures. A maximum drain current density of 957mA/mm and an extrinsic transconductance of 267mS/mm are obtained.

RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content

A Si doped AlGaN/GaN HEMT structure with high Al content (x= 44%) in the barrier layer is grown on sapphire substrate by RF-MBE. The structural and electrical properties of the heterostructure are investigated by the triple axis X-ray diffraction and Van der Pauw-Hall measurement, respectively. The observed prominent Bragg peaks of the GaN and AlGaN and the Hall results show that the structure is of high quality with smooth interface.fabricated and characterized. Better DC characteristics, maximum drain current of 1.0A/mm and extrinsic transconductance of 218mS/mm are obtained when compared with HEMTs fabricated using structures with lower Al mole fraction in the AlGaN barrier layer. The results suggest that the high Al content in the AlGaN barrier layer is promising in improving material electrical properties and device performance.

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.

AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展

简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施.

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结,结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应,而后者没有;Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加.以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致,说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.

MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A.

Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) materials are grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) and HEMT devices are fabricated and characterized. The HEMT materials have a mobility of 1035cm~2/(V ? s) at sheet electron concentration of 1.0 * 10~(13)cm~(-2) at room temperature. For the de-vices fabricated using the malt-rials,a maximum saturation drain-current density of 925mA/mm and a peak extrinsic iransecmductance of IHfimS/mm are obtained on devices with gate length and width of l/-im and 80/im respectively. The f_t, unit-current-gain frequency of the devices,is about 18. 8GHz.

分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

用自组装的氮源分子束外延（NH_3-MBE）系统和射频等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）系统在C面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGaN/GaN二维电子气材料。GaN膜（1.2 μm厚）室温电子迁移率达300 cm~2/V·s，背景电子浓度低至2 * 10~(17) cm~(-3)。双晶X射线衍射（0002）摇摆曲线半高宽为6 arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77 K二维电子气电子迁移率分别为730 cm~2/V·s和1200 cm~2/V·s，相应的电子面密度分别是7.6 * 10~(12) cm~(-2)和7.1 * 10~(12) cm~(-2)；用所外延的AlGaN/GaN二维电子气材料制备出了性能良好的AlGaN/GaN HFET（异质结场效应晶体管），室温跨导为50 mS/mm（栅长1 μm），截止频率达13 GHz（栅长0.5 μm）。该器件在300 ℃出现明显的并联电导，这可能是材料中的深中心在高温被激活所致。

P型GaN和AlGaN外延材料的制备

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

国家863计划,国家自然科学基金

InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

于2010-11-23批量导入