AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施. 中科院创新工程重要方向性项目经费,国家自然科学基金重点项目,"973"项目,"863"项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王翠梅;王晓亮;王军喜.AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展,固体电子学研究与进展,2005,25(1):35-41 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
