采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈晓娟;刘新宇;和致经;刘键;邵刚;魏珂;吴德馨;王晓亮;周钧铭;陈宏.采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件,电子器件,2005,28(3):479-481 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
