MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A. 用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:45导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4808.pdf: 380710 bytes, checksum: 48ac1aafb410a9136609c6e78a40bc8f (MD5) Previous issue date: 2003 中科院创新项目经费,国家自然科学基金重点项目,"863"经费的资助 中科院半导体所材料科学中心;中国科学院微电子中心 中科院创新项目经费,国家自然科学基金重点项目,"863"经费的资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓亮;胡国新;王军喜;刘宏新;孙殿照;曾一平;李晋闽;孔梅影;林兰英;刘新宇;刘键;钱鹤.MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT,固体电子学研究与进展,2003,23(4):484-488 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
