高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:31导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4168.pdf: 540885 bytes, checksum: a10a38b05dfcc93cd645c42689b8e6a9 (MD5) Previous issue date: 2006 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新资助项目 中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
罗卫军;陈晓娟;李成瞻;刘新宇;和致经;魏珂;梁晓新;王晓亮.高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制,半导体学报,2006,27(11):1981-1983 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
