高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4596.pdf: 212237 bytes, checksum: 6d319d4a0bf1a656edb64a1c9cd68d0f (MD5) Previous issue date: 2005 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新 中国科学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邵刚;刘新宇;和致经;刘健;魏珂;陈晓娟;吴德馨;王晓亮;陈宏.高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制,半导体学报,2005,26(1):88-91 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
