SiC的光谱特性研究

国家自然科学基金

SiC材料及器件研制的进展

作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。

随激发波长改变的SiC纳米棒的Raman光谱

用不同波长的激光激发得到了SiC纳米棒的Raman光谱，发现谱的形貌与体材料有很大差别，并且随着激发光的改变出现明显变化，认为是由于受Frohlich相互作用影响而引起的共振现象，并据此对实验结果进行了解释。

Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

于2010-11-23批量导入

a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

材料科学开放实验室基金,光学信息技术科学教育部开放实验室基金

Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

于2010-11-23批量导入

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性

高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）

在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti/6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性。反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压V_R=200V时，反向漏电流J_R低于1×10~(-4)A/cm~2。采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V。

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果。对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰，认为在类似SiC NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中，结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要。理论计算证实了这一点，并解释了实验观察到的异常现象。

6H-SiC高反压台面pn结二极管

在可商业获得的单晶6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长；并在此6H-SiC结构材料上，利用反应离子刻蚀和接触合金化技术，制作台面pn结二极管。详细测量并分析了器件的电学特性，测量结果表明此6H-SiC二极管在室温、空气介质中，-10V时，漏电流密度为2.4×10~(-8)A/cm~2，在反向电压低于600V及接近300℃高温下都具有良好的整流特性。

使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{10-15}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值｜F(000L)｜~2/｜F(000-L)｜~2非常吻合。因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C-SiC{111}的极性。

Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE

于2010-11-23批量导入

半导体SiC材料的外延生长

SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点, 在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。本文简要介绍SiC半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制。