6H-SiC高压肖特基势垒二极管
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:23导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5367.pdf: 310223 bytes, checksum: 8dfad318a451207f53cc97fe053b60e3 (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王姝睿;刘忠立;徐萍;葛永才;姚文卿;高翠华.6H-SiC高压肖特基势垒二极管,半导体学报,2001,22(8):1052 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
