SiC材料及器件研制的进展
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。 作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5159.pdf: 390647 bytes, checksum: 2990a241d678b443dccf864337fafc38 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李晋闽.SiC材料及器件研制的进展,物理,2000,29(8):481 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
