高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti/6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性。反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压V_R=200V时，反向漏电流J_R低于1×10~(-4)A/cm~2。采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王姝睿;刘忠立;李国花;于芳;刘焕章.高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）,半导体学报,2001,22(8):962 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
