SiC器件工艺的发展状况

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Autoria(s): 王姝睿; 刘忠立

Data(s)	2000
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18289 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103782
Idioma(s)	中文
Fonte	王姝睿;刘忠立.SiC器件工艺的发展状况,微电子学,2000,30(6):422
Palavras-Chave	#微电子学
Tipo	期刊论文