913 resultados para 1 Corinthians 13:12
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。
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利用X射线衍射和AES(俄歇)方法,深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为,揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。
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对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。
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于2010-11-23批量导入
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在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜,虽然在界面处存在大量位错,但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜,迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。
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对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量,研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰,并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。
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于2010-11-23批量导入
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文章从光子器件功能集成,光子器件面阵集成、光子集成PIC互连等三个方面探讨了半导体集成光学的重大进展。并对今后的发展前景作了展望。
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采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出
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在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷,使阈值电流大幅度降低,光功率成倍增长.所研制出的量子阱激光器室温平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),波长为778nm,最低阈值电流为30mA,阈值电流密度为400~600A/cm~2.谱线宽度为5nm.
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于2010-11-23批量导入
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利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40~60mW下,中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。
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In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x