具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷,使阈值电流大幅度降低,光功率成倍增长.所研制出的量子阱激光器室温平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),波长为778nm,最低阈值电流为30mA,阈值电流密度为400～600A/cm~2.谱线宽度为5nm. 在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷,使阈值电流大幅度降低,光功率成倍增长.所研制出的量子阱激光器室温平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),波长为778nm,最低阈值电流为30mA,阈值电流密度为400～600A/cm~2.谱线宽度为5nm. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5741.pdf: 392256 bytes, checksum: 5bbda0d1342ca3fdc5fdade3dcf24649 (MD5) Previous issue date: 1997 山东工业大学电子工程系;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张福厚;宋珂;邢建平;郝修田;曾一平.具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制,中国激光,1997,24(2):97 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
