分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰，并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。 对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰，并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5726.pdf: 207164 bytes, checksum: 9afab709b0c693f57d915298441f6486 (MD5) Previous issue date: 1998 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江德生;李学平;孙宝权;韩和相.分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究,半导体学报,1998,19(9):707 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
