高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出 采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5740.pdf: 322312 bytes, checksum: 0a59a5d229844a2b2a8ec7736e59d304 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
盛殊然;廖显伯;孔光临;刁宏伟.高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制,中国科学. A辑，数学 ,1997,27(7):653 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
