不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高，PL谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。 对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高，PL谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5712.pdf: 270879 bytes, checksum: ff9abe87a547d1cf81e782bb8322d5a4 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
司俊杰;杨沁清;王红杰;雷红兵;滕达;王启明;刘学锋;李建民.不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响,半导体学报,1998,19(6):477 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
