用于纳秒级窄脉冲工作的大功率半导体激光器模块

介绍了一种将脉冲半导体激光器发射系统中的脉冲整形电路、驱动电路、激光器保护电路、激光器集成封装成一个激光器模块的方式.当激光器工作于纳秒级窄脉冲状态下时,激光器封装引腿产生的电抗会使得耦合进激光器的脉冲波形劣化,导致能量损失.为得到上升时间短,波形半宽窄,峰值功率大的光输出,改进了激光器管芯的结构并采用混合光电子集成的方式将驱动电路和激光器管芯封装在一个模块内,使得窄脉冲电信号高效地耦合进半导体管芯.分析验证表明.改进后的激光器模块的各项输出参数均得到改善.同等条件下,改进后的模块在光脉冲宽度为4.5 ns时,峰值功率比单独封装激光器提高6倍多.测试了激光器模块U-P曲线,得到了脉冲宽度7 ns左右,峰值光功率176 W的光脉冲输出.

一种宽带检波器的校准方法

提出了一种宽带检波器校准的新方法.利用矢量网络分析仪对检波器进行准确测量,结合宽带检波器的封装形式,建立检波器的等效电路模型.运用这种等效电路模型研究宽带检波器的高频响应特性,通过扣除检波器自身的频率响应波动,获得微波功率源准确的输出功率.通过理论分析与实验结果进行对比,结合功率计的测试结果,验证了这种方法的准确性.

Morphology Evolution of (331)A High-Index Surfaces During Atomic Hydrogen Assisted Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Step like morphology of (331)A high-index surfaces during atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy (MBE) growth has been investigated. Atomic Force Microscope (AFM) measurements show that in conventional MBE, the step heights and terrace widths of GaAs layers increase monotonically with increasing substrate temperatures. The terrace widths and step densities increase with increasing the GaAs layer thickness and then saturates. And, in atomic hydrogen assisted MBE, the terrace width reduces and density increases when depositing the same amount of GaAs. It attributes this to the reduced surface migration length of Ga adatoms with atomic hydrogen. Laterally ordered InAs self-aligned nano-wires were grown on GaAs (331)A surfaces and its optical polarization properties were revealed by photoluminescence measurements.

GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化

采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.

原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌

研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中，原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明，在GaAs的(311)A和(331)A面，原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型，解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

室温务件下，用低能离子束外延制备了GaAs

低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜

利用质量分离的低能离子束技术，获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明，在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化，没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。

Surface Morphology and Photoluminescence of 1.3 μm Wavelength In(Ga)As/GaAs Quantum Dots

Self-organized In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs quantum island structure emitting at 1. 35 (im at room temperature has been successfully fabricated by molecular beam epitaxy (MBE) via cycled (InAs)_1/( GaAs)_1 monolayer deposition method. Photoluminescence (PL) measurement shows that very narrow PL linewidth of 19.2 meV at 300 K has been reached for the first time, indicating effective suppression of inhomogeneous broadening of optical emission from the In_(0.5)Ga_(0.5)As islands structure. Our results provide important information for optimizing the epitaxial structures of 1.3 μm wavelength quantum dot (QD) devices.

掺铒GaN薄膜光致发光的研究

采用傅立叶变换红外光谱（FT－IR）研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性，光致发光谱（PL）的测量结果表明

掺稀土半导体光电特性和应用

结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究，简述目前国际上在这方面研究的新进展，重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。

清洗后硅片表面的电子结构

介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等，把它和标准RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明，经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成，它们分别以Si-O健、C-O健和Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层，在硅片表面都存在有机碳污染，但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面，新型半导体清洗技术清洗明显优于标准RCA清洗技术。

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。

电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。

1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长

通过引入较长停顿时间，采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点，在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究，表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。

1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究

用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。