离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
室温务件下，用低能离子束外延制备了GaAs 国家自然科学基金资助项目（6 176 1）,国家自然科学基金资助项目（6 176 1）,国家重大基础研究计划资助项目（G2 365和G2 2CB3119 5） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋书林;陈诺夫;周剑平;尹志岗;李艳丽;杨少延;刘志凯.离子束外延制备GaAs:Gd薄膜,功能材料,2004,35(3):336-337 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
