GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争. 采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:03导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3922.pdf: 441100 bytes, checksum: f8a52fe47b6ca032c5e776d76fa07af4 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金(No.6 176 6)资助 山西综合职业技术学院轻工分院;中科院半导体研究所 国家自然科学基金(No.6 176 6)资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
牛智红;任正伟;贺振宏.GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化,真空科学与技术学报,2008,28(2):108-111 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
