原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中，原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明，在GaAs的(311)A和(331)A面，原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型，解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。 国家自然科学基金资助项目（6 176 6，6 2541 ）,国家自然科学基金资助项目（6 176 6，6 2541 ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏全香;牛智川.原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌,半导体光电,2004,25(2):162-164 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
