电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布


Autoria(s): 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英
Data(s)

2002

Resumo

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:07:48导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5018.pdf: 244661 bytes, checksum: 6154192c02d66cc0f198015e8cfbf22a (MD5) Previous issue date: 2002

科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34),国家重大基础研究计划(批准号:G2 683),国家重大基础研究计划(批准号:G2 365),国家自然科学基金(批准号:6 176 1)资助项目

中国科学院半导体研究所;

科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34),国家重大基础研究计划(批准号:G2 683),国家重大基础研究计划(批准号:G2 365),国家自然科学基金(批准号:6 176 1)资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17943

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103609

Idioma(s)

中文

Fonte

张秀兰;张富强;宋书林;陈诺夫;王占国;胡文瑞;林兰英.电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布,科学通报,2002,47(17):1299-1301

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文