电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置，并在GaSb中形成了浅受主能级。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5018.pdf: 244661 bytes, checksum: 6154192c02d66cc0f198015e8cfbf22a (MD5) Previous issue date: 2002 科学技术部攀登预研（批准号：PAN95-YU-34）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 365）,国家自然科学基金（批准号：6 176 1）资助项目 中国科学院半导体研究所; 科学技术部攀登预研（批准号：PAN95-YU-34）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 365）,国家自然科学基金（批准号：6 176 1）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张秀兰;张富强;宋书林;陈诺夫;王占国;胡文瑞;林兰英.电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布,科学通报,2002,47(17):1299-1301 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
