清洗后硅片表面的电子结构
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等，把它和标准RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明，经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成，它们分别以Si-O健、C-O健和Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层，在硅片表面都存在有机碳污染，但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面，新型半导体清洗技术清洗明显优于标准RCA清洗技术。 国家自然科学基金资助项目（批准号6 176 32） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
曹宝成;于新好;马谨;马洪磊;刘忠立.清洗后硅片表面的电子结构,固体电子学研究与进展,2002,22(4):496-499 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
