GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。 国家自然科学基金（6 176 8）,香港RGC基金（HKUST6125/98P）,国家攀登项目（G2 366 3） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;方再利;丁琨;韩和相;曾美思;王建农;葛惟锟;潘钟;李联合;吴荣汉.GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究,固体电子学研究与进展,2002,22(4):399-403 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
