场效应晶体管-自电光效应器件灵巧像素的实验研究

在一块印刷电路板上通过将自由光电效应器件(SEED)与GaAs埸效应晶体管(FET)进行互连制作了一种简单的场效应晶体管-自电光效应器件(FET-SEED)灵巧像素。这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件，一个输出自电光效应器件及一个GaAs场效应晶体管放大器构成。设计了一个光学系统，在这个系统上对这种灵巧像素进行了演示及测试，并对其工作原理及过程进行了描述。

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。

用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A/cm~2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0.8mW/mA和10.mW/mA，线性输出功率大于120mW，在20℃-50℃的特征温度T_0为125K。器件在50℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。

GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关

报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为A_xO_y层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。

波长路由在并行计算机光互连中的应用

提出了一种波长路由并行光互连技术，其路由直接在源端用目标地址选择波长来建立，各波长有独立传输路径并采用光通道复用，路由变换节点为全光结构，光信号在变换节点处无转发延迟。此技术可应用于并行计算机互连网络和分布式高性能计算机群的互连网络。

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.

高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器

用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力。批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实验要求。

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性

介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性。激光器的室温连续输出功率达到2W。在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平。器件的特征温度高达185K(35￣85℃)及163K(85￣95℃)。同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％。

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

硅基量子点的制备及其发光特性

国家863计划

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。

氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关

研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流子注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3 μm,注入电流为32 mA下得到光开关反射端消光比为18 dB,无注入时的关态串话为-19 dB。

完全无阻塞光开关阵中构成重排无阻塞光开关阵的数目

讨论了在4×4网结型完全无阻塞光开关阵中,构成4×4重排无阻塞开关阵的组合数。由分析计算可得到48种组合,文中把这些组合一一列出。