GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为A_xO_y层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。 报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为A_xO_y层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5779.pdf: 338950 bytes, checksum: 28e8b93e1c4e80434cfbb51543ed7f9b (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
康学军;林世鸣;廖奇为;高俊华;王红杰;朱家廉;张春晖;王启明.GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关,高技术通讯,1997,7(7):36 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
